JSSC，2015，An Embedded 65 nm CMOS Remote Temperature Sensor With Digital Beta Correction and Series Resistance Cancellation Achieving an Inaccuracy of 0.4°C (3σ) From -40°C to 130°C
分立的BJT，或者嵌入到CPU/MCU芯片的寄生三极管，作为温度传感器的信号源。
主要挑战是
1，寄生二极管的β非常低，甚至低于1；且β随Emiter电流变化很大
2，串联电阻的影响；
当PNP BJT是二极管接法时，我们控制N倍比例电流是IE而不是IC
ΔVBE=qkT⋅ln(IC2IC1)=qkT⋅ln(IE2⋅β2/(β2+1)IE1⋅β1/(β1+1))
所以，最终的结果是
ΔVBE=qkT⋅ln(β2⋅(β1+1)β1⋅(β2+1)⋅N)
所以温度的表达式如下，注意将BETA分别表示，这样有助于之后BETA测量后的校准计算
T=ΔVBEln(N)(1−ln(N)ln(1+1/β2)+ln(N)ln(1+1/β1))q
测试方法
- 将本来注入到Emiter的电流先注入到Rsens上，利用Rsens IE→V1，测出IE；
- 然后将电流注入到Emiter上，这样IB电流也回注入到电阻上，再次利用Rsens IB→V2，测出IB；
- 这样，Beta可以通过两次电压求出
β=IBIE−IB=V2V1−V2
如果在二极管连接的BJT上，分别用1:N的电流测得的电压得到Delta VBE，由于串联电阻的影响，实际测回的电压差为：
ΔV=ΔVBE+(N−1)IBIASR
那么单位电阻上噪声的误差为（°C/Ω）：
ReR=qkln(n)(N−1)IBIAS
思想似乎是一个专利，US7541444B2，2024-6-20 Expiration
每次采样/积分过程是一个CDS，过采样下的积分又是多次求和的过程，一次正着积分采样，一次负着积分采样，又能做一次CDS，这样相当于做了两次的CDS，具体如下：
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第一个采样-积分周期，2倍采样电容，采样相位时注入电流NI，积分相位时注入电流I，得到的积分电压
V1=2[qkTln(ISI)+I⋅R]−2[qkTln(ISN⋅I)+N⋅I⋅R]
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第二个采样-积分周期，1倍采样电容，采样相位时注入电流2I，积分相位时注入电流2NI，得到的信号电压
V2=[qkTln(ISN⋅2I)+N⋅2I⋅R]−[qkTln(IS2I)+2I⋅R]
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最终的电压为
V1=2VTln(N)+2IR−2NIRV2=−VTln(N)+2NIR−2IRV1+V2=VTln(N)