¶ ESD Influence on Bipolar Junction
这里先讲里Hot Carrier
¶ 基本术语概念
BVCES
Collector-Emitter Breakdown Voltage with Base Shorted。 BVCES 表示基极和发射极短接（通常通过直接连接）时，三极管的集电极-发射极击穿电压。这是一个反映纯粹的 PN 结击穿电压的参数。
BVCES 通常用于描述三极管的绝对耐压能力，与电路放大状态无关
BVCEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage with Base Open。 BVCEO 表示基极开路（没有连接电路）时，三极管的集电极-发射极击穿电压。此参数会受到三极管电流放大作用的影响。
BVCEO 通常描述三极管在实际电路工作条件下的最大耐压。
ICBO
Current between Collector and Base with Emitter Open。 ICBO 是在三极管的发射极开路（Emitter Open，简称 O）条件下，集电极与基极之间的反向饱和电流。
ICBO 是由集电极-基极 PN 结的少数载流子热产生所引起的反向漏电流，与三极管的电流增益无关。它受温度强烈影响，因为少数载流子的浓度随温度升高呈指数增加。常见的经验规律是：温度每升高10°C，ICBO 大约增加一倍。
ICEO
Current between Collector and Emitter with Base Open。 ICEO 是指 集电极-发射极漏电流（基极开路时），受三极管的电流增益 （或 ）影响。它与 ICBO 之间的关系可以近似表示为
在低功耗或高精度电路（如运算放大器、传感器、精密测量设备）中， 是一个需要关注的参数，因为其漏电流可能会引入误差或影响稳定性。 也反映了三极管的工作稳定性，特别是在高温条件下。 通常作为三极管的漏电流规格给出，帮助设计者判断器件的漏电流性能。高增益三极管（高）可能具有更高的 ，设计时需要平衡增益和漏电流。
电离率（ionization rate）
电离率（ionization rate）和电场强度的关系是半导体物理中的一个重要概念，尤其是在分析高电场下的载流子行为（如雪崩击穿现象）时。电离率描述了在高电场下，载流子（电子或空穴）通过碰撞电离产生新的电子-空穴对的概率。
电子和空穴的本质：
- 电子是真实存在的带负电的粒子，位于半导体的导带中；在硅中，电子可以从价带被激发到导带，成为自由电子，参与导电
- 空穴并不是一个真实的粒子，而是价带中电子离开后留下的“空缺”。当价带中的一个电子被激发到导带后，原本电子所在的位置就留下了一个带正电的空缺，这个空缺被称为空穴。空穴的本质是价带中缺少一个电子，因此它可以被视为一个等效的正电荷载体。
空穴的移动：
- 在价带中，电子并不是完全固定的，而是可以在原子之间移动。
- 当某个位置缺少一个电子（即存在一个空穴）时，邻近的电子可以“跳入”这个空穴，填补空缺。 当邻近的电子跳入空穴后，原本电子的位置又变成了一个新的空穴。这个过程看起来就像是空穴在向相反的方向移动。
- 因此，空穴的移动实际上是价带中电子的集体运动，但为了方便分析，我们可以将空穴视为一个带正电的粒子，沿着与电子相反的方向移动。
空穴的碰撞：
- 在高电场下，空穴也可以获得能量并参与碰撞电离。当空穴获得足够的能量时，它可以通过碰撞将价带中的电子激发到导带，产生新的电子-空穴对。
- 虽然空穴本身不是一个真实的粒子，但它所代表的“空缺”可以通过电子的移动传递能量，从而实现碰撞电离。
| 特性 | 电子 | 空穴 |
|---|---|---|
| 本质 | 真实的带负电粒子 | 价带中电子离开后留下的空缺 |
| 电荷 | 负电荷（−q−q） | 等效的正电荷（+q+q） |
| 移动机制 | 在导带中自由移动 | 价带中电子的集体运动 |
| 有效质量 | 较小 | 较大（因为涉及多个电子的运动） |
| 迁移率 | 较高 | 较低 |
¶ Snapback
如下图所示，
- 通常 Collector 和 Emitter 有确定的连接关系，Base - Emitter 之间用一个可变电阻来表示：当电阻无穷大即开路时，那么开始雪崩击穿的电压为BVCEO（Base 开路时的 Breakdown Voltage VCE）；当电阻无穷小即短路时，雪崩击穿的电压为BVCES；
- 考虑VCE的电压逐渐增加时，会有一个漏电电流（Base 的电子被带正电的 Collector 吸引，形成漏电电流，认为是 ICBO）
- 当这些电子获得足够高的能量后，可以撞击原子产生电子-空穴对（hole-electron pair），电子继续被带正电的 Collector 吸引，而空穴则会寻找最低电势点（Emitter），但是此时的空穴仍需克服一个PN正向结才能到达Emitter。同时也会有一个电子电流，在Base内的流动，由于Base时存在阻抗的，因此会产生一个正向电压。
以 Base-Emitter 短路为例，当 VCE 电压继续增大时到BVCES时，此时到达雪崩击穿的临界电压，此时大量的 impact ionization 产生的 hole-electron pair 在上面的机制下让 VBE 的 PN 结正偏。
- 此时 Collector 电流将流向 Emitter （因为 Emitter 的参杂浓度最高，薄且轻参杂的Base提供这么多的载流子和 Emitter 不在一个量级）