基本的读取电路如下，TSMC 0.18um BCD 工艺 pmos2v（除FUSE外其余电路使用5V器件设计），600uA 限流 8.5V 烧写后，击穿后的FUSE 大约是 200nA@2V（可能与LDD对overlap区的栅氧保护有关，也可能与限流600uA过小有关），设计读取电路时需要考虑 offset 和 settling time 的问题，如下是一种解决方案：
- PROGRAM 使用 DI & PROG & ADDR 控制，利用 DVDD - AGND 达到 8.5V 烧写电压；
- 测试利用 FRD & SIDE & ADDR 控制，通过 IOUT 到 GND 的电流去测试击穿后的 IV 特性
- 利用 SIDE & TEST，可以对 FUSE 进行弱下拉，可以在量产测试种做烧写强度的筛选，也可以用于未TRIM芯片的初始化烧写判断
- 主要的读取电路，选取 2uA 的电流需要覆盖 FUSE 阵列的漏电影响，同时也不宜过大，因为这里的 10% 的offset 就是 200nA 会覆盖掉 FUSE 信号电流
上面这个电路，相比下面这种的优势在于，在读取时可以让 FUSE 两端加载的电压从 (VDD-0.8V) 扩展到 (VDD-0.3V)，这样的提高是有意义的，烧写后的栅极电流在本例种呈现指数特性（diode like），扩展0.4V 可以将 Sense 电流提高，从而让读出电路判断地更快更准确；
而下面这个电路的优势是几乎不受 OFFSET 的影响，因为流入到比较器的电流几乎都是信号电流，如果认为没有漏电的话，意味着在和0比较，几乎不需要考虑电流镜失配的百分比的影响；下面使用32uA的限流电路，是为了避免在5.5V电压下读取 FUSE 电流过大，也避免了未TRIM的SIDE可能会在读取过程中被意外烧写的问题
第三种读取电路如下，相比第二种电路，避免了 N 管的失配的问题，用匹配性更好的 RES 去替代，同时避免了共模漏电将比较器偏置电流耗尽的问题。需要注意的是，如果存在共模偏置电流，输出电压将很难到达0V，所以后面的反相器需要让N强P弱
